FQU13N10LTU دیتاشیت

FQD13N10L, FQU13N10L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD13N10L, FQU13N10L
حجم فایل 1446.898 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت FQD13N10L, FQU13N10L-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: FQU1
  • detail: N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه